昌旭： 近几年，memory技术发展很快，您对各种新兴技术的趋势如何预测？

朱一明： 先简单地分析一下。

我们对mMemory还是很看好的，所以我们自己也投了一个创新的mMemory的公司。mRAM过去的规划是替代DRAM，如果不能替代DRAM，未来就做做小众的市场，把SRAM替换掉也是有可能。

fMemory还是比较nich，不会有太大的市场。

PMemory（相位变换memory）还是有很大的机会的，因为英特尔宣布了用于PMemory的新材料和cross point技术，将功耗大大降低，将这一技术推向前进了。根据英特尔与美光近期发布的公告看，PMemory的规划是在服务器/PC上直接要替代目前主流的DRAM，而我们的专家分析，从工艺制造上来看，PMemory未来的价格也是将比DRAM便宜很多，其Die可以做到非常小。所以，最近我们也在关注这一类的公司。

英特尔在下一代的CPU上已为PMemory留下接口。参考英特尔的资料，其性能比Nand快一千倍，但是成本又比DRAM便宜很多。所以，我们认为，至少未来在服务器中，PMemory会替代DRAM成为一个主流的技术。

而我们的思路是反过来看，PMemory这一趋势形成后，我们可以去做那些特殊的应用，我们决不会与去英特尔拼。不过，从我个人的理解，目前PMemory的缺点主要是在85度以上的温度时会不稳定；另外，写周期相对短一些。

所以，Memory产业这几年发生了很多重大的变化。第一个就是英特尔这个用于PMemory的cross point技术，如果真的2016年投入商用，就是划时代的变化。

第二个就是3D Nand。这个对于存储领域绝对是一个划时代的进步。主流公司都在往这个方向走。我们兆易创新美国的团队也在研究这个方向。三星也是3D NAND的最大推动者，第一个量产的厂商。未来在其它新兴的memory技术上，三星仍可能会是量产的首个推动者，他们大规模经济化的能力实在很强。韩国在memory这个市场地位仍是不可动摇。

第三个就RRAM，但是这个我个人认为还有一些问题。

从我们角度来看，在memory上做前沿的投资，这个非常重要。要根据公司的实力有的放矢的干，不能为了梦想盲干。

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